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IRFIZ34E
1200
1000
V GS
C iss
C rss
C is s C oss
=
=
=
=
0V, f = 1 MH z
C gs + C gd , C ds SH O R TED
C gd
C ds + C gd
20
16
I D = 1 6A
V DS = 4 4V
V DS = 2 8V
800
C o ss
12
600
8
400
C rs s
200
4
FO R TES T C IR CU IT
0
1
10
100
A
0
0
10
20
SEE FIG U R E 13
30
40
A
1000
100
V D S , Drain-to-Source V oltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
100
Q G , Total Gate Charge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10us
T J = 175 °C
100us
10
T J = 25 °C
10
1ms
1
0.4
0.8
1.2
1.6
V G S = 0 V
A
2.0
1
1
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
10
10ms
100
1000
V S D , S ource-to-Drain Voltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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